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Affichage 21 articles: GP02-40 à GT60M104 (Page 243 sur 1235)

Diode GP02-40
GP02-40
1.34€ TTC
4932 En stock
4932 En stock

Diode silicium 4000V 0.25A. Trr: 2us.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode GP10J
GP10J
1.51€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Diode silicium 600V 1A. Trr: 2us. Boîtier DO-204AL (2.3x4.6mm). Glass Passivated Junction Rectifier.

 
 
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Accumulateur NI-MH GP30AAAMHB
GP30AAAMHB
11.03€ TTC
3 En stock
3 En stock

Accumulateur-batterie NI-MH 1.2V. Tension de batterie: 1.2V. Capacité: 300mAh. Dimensions: 2/3AAA 10x29mm. GP30AAAMHB. Format 2/3AAA. GP. Languettes à souder

 
 
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Circuit intégré GR8876AK
GR8876AK
5.32€ TTC
8 En stock
8 En stock

Circuit intégré GR8876AK. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: Grenergy OPTO. Inc.. Code constructeur: GR8876AKG. Marquage boîtier: GR8876A. Boîtier: SO-8. Vcc (op): 35V. Tension d'alimentation: 11.5V à 25V. Puissance: 400 mW. Fréquence de découpage: 65 kHz. Plage de température de fonctionnement: -25°C à +85°C.

 
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Circuit intégré GS8234-02D
GS8234-02D
54.49€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré GS8234-02D. TV SYSTEM PROC. Boîtier: 64p. Constructeur: GOLDSTAR.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré GS8334-09A
GS8334-09A
57.85€ TTC
19 En stock
19 En stock

Circuit intégré GS8334-09A. TV SYSTEM PROC. Boîtier: SDIP-52. 0IMI833409A. Constructeur: GOLDSTAR.

 
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Circuit intégré GS8414-14A
GS8414-14A
56.39€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré GS8414-14A. TV SYSTEM PROC. Boîtier: 54p. Constructeur: GOLDSTAR.

 
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Circuit intégré GS8434-16A
GS8434-16A
21.39€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré GS8434-16A. CENTRAL PROC. Boîtier: 52p. CF21D60B. 0IMI843416A. Constructeur: GOLDSTAR.

 
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Transistor GSB772S
GSB772S
1.51€ TTC
250 En stock
250 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: hFE: 100-400. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 80 MHz. Puissance: 0.4W.

 
 
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Transistor GT20D101
GT20D101
64.90€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT20D201
GT20D201
50.85€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT P 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT30F124
GT30F124
7.06€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 300V 30A/200Ap 25W Vce(sat)2.3V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 300 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,3 V. VCE(sat)max.: 2,3 V. Diode CE: No. Diode au germaniu

 
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Transistor GT30F131
GT30F131
8.90€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 360V 30A/200Ap 140W Vce(sat)1.9V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F131. Implantation: Felület szerelt (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO-220SM (MXN). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 360 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 140 W. VCE(sat): 1,9 V. VCE(sat)max.: 1,9 V. Diode CE: No

 
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Transistor GT30G122
GT30G122
10.81€ TTC
8 En stock
8 En stock

N-IGBT 400V 30A/120Ap 25W Vce(sat)2.6V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30G122. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 400 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,6 V. VCE(sat)max.: 2,6 V. Diode CE: No. Diode au germaniu

 
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Transistor IGBT canal-N GT30G124
GT30G124
9.02€ TTC
9 En stock
9 En stock

Transistor IGBT canal-N 430V 30A/200Ap 25W Vce(sat) : 2.5V

 
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Transistor GT30J124
GT30J124
9.91€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 600V 30A/200Ap 26W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30J124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 26 W. VCE(sat): 2,4 V. VCE(sat)max.: 2,4 V. Diode CE: No. Diode au germanium

 
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Transistor IGBT canal-N GT30J322
GT30J322
20.55€ TTC
39 En stock
39 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat) : 2.1V

 
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Transistor GT30J324
GT30J324
11.26€ TTC
2 En stock
2 En stock

N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30J324. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-3PN (2-16C1B). Boîtier: TO-3P. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 60 A. Puissance: 170 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VGE(th)max.: 6,5 V. VCE(sat):

 
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Transistor IGBT canal-N GT35J321
GT35J321
18.26€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor IGBT canal-N 600V. Diode de roue-libre intégrée 37A/100Ap 75W Vce(sat) : 1.9 - 2.3V

 
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Transistor GT50J325
GT50J325
41.22€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 240W. Vce(sat): 2.0V. Boîtier: TO-3P (LH). Fast Switching.

 
 
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Transistor GT60M104
GT60M104
32.93€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 900V 60A/120Ap 200W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 (2-21F2C). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 900 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 50 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 200 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 3 V. VGE(th)max.: 6 V. VCE(sat): 2,4 V

 
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